MISSION ミッション

地球温暖化に伴い「CO2排出削減」「省エネルギー」が社会的な重要課題となり、グリーンテクノロジーに向けたパラダイムシフトが進行し、自動車や鉄道、さらにはスマートグリッドを中心とした新ネットワークインフラなどの分野でエネルギーの有効活用が不可欠となっています。

Anjet Research Lab 株式会社はこのような社会的課題に対し電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発により貢献したいと取り組んでいます。

日本、台湾、アメリカなどのファンダリーメーカーや各国のデザインエンジニアと連携し、アプリケーションに最適な各種パワーデバイス（Si, SiC, GaN etc.）の設計を目指します。

ABOUT US 事業概要

Taipei ANJET Corporation
設立：
Sep. 6, 2019
所在地：
5F-6, No. 308, Zhifu Rd., Zhongshan Dist., Taipei City 10466, Taiwan R.O.C.
資本金：
390,000,000 NTD
Team：
Each has affluent experience of 20-30 years in Semiconductor Industry, namely Texas Instruments, ON Semiconductor, Hitachi, Mitsubishi Elec., Renesas Panasonic and ROHM
関連事業所：
  • Taipei ANJET Corporation
    • Taipei Headquarters
    • Hsinchu R&D Center
  • Anjet Research Lab Co., Ltd.
    • Kyoudai Katsura Venture Plaza
    • Tokorozawa Satellite Office
  • Beijing Sales
業種：
Research and development (R&D) and sales of semiconductor component
Anjet Research Lab 株式会社
設立：
2019年（令和1年）12月 3日
代表取締役：
Jimmy Wu（呉 文景）
所在地：
〒615-8245 京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館 2203・2208 号室 (地図)
Supported by
日本貿易振興機構京都市
資本金：
7000万円
チーム：
大手半導体メーカーでパワー半導体デバイス・モジュールの研究開発経験のあるエキスパートメンバーで構成されています。
(Texas Instruments, ON Semiconductor, UMC, Hitachi, Mitsubishi Elec., Renesas, Panasonic, ROHM etc.)
業種：
半導体デバイス設計

PRODUCT 製品

SiC SBD 650V-1200V (2A～20A)
...
Key features
  1. Best-in-class low VF:1.35V
  2. High surge ruggedness
  3. Temperature independent switching behavior
  4. Low cost
  5. High reliability
Key technologies
  1. Advanced junction barrier schottky structure
  2. Advanced termination structure
  3. thin Wafer
SiC DMOS 650V/1200V (100mΩ～20mΩ)
...
Key features
  1. Best-in-class low Rsp:≒3.3mΩ･cm2
  2. Enough break down voltage
  3. Low Cgd
  4. Low cost
  5. High reliability
Key technologies
  1. Advanced DMOS self-align structure
  2. Advanced termination structure
  3. thin Wafer
...

RECRUIT 採用情報

仕事内容

【会社紹介】
  1. 当社は業界最先端のSi、SiC、GaN などのパワーデバイス開発を行うファブレスの設計会社です。
【業務内容】
  1. 高性能パワーデバイスの設計・開発・試作を世界のファンダリーメーカーと協力して行う。
  2. 高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性パワーデバイスのいち早い市場投入を行う。
  3. 大学などの研究機関・提携企業との協力を進めることによって当分野のリーディングカンパニーを目指す。

simulation　①

simulation　②

募集要件

パワー半導体デバイス（Si、SiC、GaN）の設計、開発、製造に関して以下の経験がある方。

  • パワー半導体デバイス（SBD、DMOS、トレンチMOS、IGBT等）のデバイス（チップ）の開発・設計、プロセスインテグレーション開発
  • ファウンドリーでのデバイス試作用プロセス全体の指示
  • デバイスの信頼性評価技術（TEG作成からTDDB評価など）
  • レイアウト技術（GDS）
  • デバイスシミュレーター（Synopsis Sentaurusなど）の使用
  • 低歩留まりチップの不良解析、歩留まり向上対策
  • パワー半導体デバイスのPKG,モジュールの設計、開発
  • 最先端パワーデバイスの調査及び新規デバイス構造の提案
  • 汎用または車載用パワーモジュールの設計・開発

勤務地：京都市（京大桂ベンチャープラザ）(地図)

Supported by 日本貿易振興機構 京都市