MISSION 使命

隨著地球暖化，減少排放二氧化碳跟節約能源已經成了重要的社會問題，綠色能源科技發展也成為重要的課題。在汽車，鐵路和以智慧電網為中心的新網路基礎設施等領域中，提升能源使用效率是不可缺少的。

安傑特科技致力於研究開發可顯著提高電能轉換效率的功率半導體，努力為社會做出貢獻。

我們的目標是透過與日本、台灣、美國和其他國家的代工製造商以及各國的設計工程師合作，設計最適合應用的各種功率元件（SiC、GaN 等）。

ABOUT US 關於我們

安傑特科技股份有限公司 (Taipei ANJET Corporation)
成立日期：
2019年9月6日
地址：
10466 台北市中山區植福路308號5樓之6
資本金：
390,000,000 NTD
團隊：
來自德州儀器 (Texas Instruments)、安森美 (ON Semiconductor)、聯華電子 (UMC)、日立 (Hitachi)、三菱電機 (Mitsubishi Electric)、瑞薩電子 (Renesas Electronics)、松下 (Panasonic)、羅姆 (ROHM)的專業人員所組成。平均每人擁有在半導體產業工作20到30年的經驗。
相關辦公室：
  • Taipei ANJET Corporation
    • Taipei Headquarters
    • Hsinchu R&D Center
  • Anjet Research Lab Co., Ltd.
    • Kyoudai Katsura Venture Plaza
    • Tokorozawa Satellite Office
  • Beijing Sales
行業：
半導體零組件研發與銷售
Anjet Research Lab Co., Ltd.
成立日期：
2019年12月 3日
地址：
2103,2203,2208 South Building, Kyodai-katsura Venture Plaza, 1-39 Goryo Ohara, Nishikyo-ku, Kyoto-city, kyoto-prif., 615-8245, Japan (地圖)
Supported by
JETRO Kyoto
資本額：
70,000,000 JPY
團隊：
由曾在各大半導體廠商擁有研發功率半導體器件及模組經驗的專家成員所組成。
(Texas Instruments, ON Semiconductor, UMC, Hitachi, Mitsubishi Elec., Renesas, Panasonic, ROHM etc.)
行業：
半導體零組件研發設計

PRODUCT 產品

SiC SBD 650V-1200V (2A～20A)
...
Key features
  1. Best-in-class low VF:1.35V
  2. High surge ruggedness
  3. Temperature independent switching behavior
  4. Low cost
  5. High reliability
Key technologies
  1. Advanced junction barrier schottky structure
  2. Advanced termination structure
  3. thin Wafer
SiC DMOS 650V/1200V (100mΩ～20mΩ)
...
Key features
  1. Best-in-class low Rsp:≒3.3mΩ･cm2
  2. Enough break down voltage
  3. Low Cgd
  4. Low cost
  5. High reliability
Key technologies
  1. Advanced DMOS self-align structure
  2. Advanced termination structure
  3. thin Wafer
...

RECRUIT 招募資訊

工作內容

【研發工程師】(SiC、GaN)
  1. 功率半導體元件（SBD，DMOS，Trench MOS，IGBT等）的晶片設計和開發。
  2. 晶圓代工廠製程整合經驗。
  3. 熟悉EDA tool（例如Synopsys Sentaurus）。
  4. 英語或日語讀寫能力。
【功率模組設計】(SiC、GaN)
  1. 功率半導體封裝及模組設計經驗 。
  2. 英語或日語讀寫能力。
【詳細資訊】
  1. 104人力銀行 (點我進入)

simulation　①

simulation　②